Фоторезисты ФП-383 и ФП-383М (ТУ 6-14-632-86)
Предназначен для реализации фотолитографических процессов в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем, металлизированных шаблонов, шкал, сеток, печатных плат.
No |
Характеристики |
Норма |
1 |
Внешний вид фоторезиста |
Жидкость красно-корич цвета без осадка |
2 |
Внешний вид пленки фоторезиста |
Гладкая без разрывов |
3 |
Относительная скорость фильтрации, отн. ед., не более |
2,0 |
4 |
Кинематическая вязкость при (20+0,5) °C мм2/сек |
6,0 - 6,5 |
5 |
Разрешаюшая способность, мкм, не более |
2,0 |
6 |
Толщина пленки фоторезиста, мкм |
1,0 - 1,2 |
7 |
Число оборотов при нанесении, об/мин |
3000,0 |
8 |
Устойчивость пленки фоторезиста к проявителю, мин., не менее |
3,0 |
9 |
Проявитель |
2% раствор в воде Na3PO4 |
Фоторезист ФП-25 (ТУ 6-14-531-89)
Предназначен для реализации фотолитографических процессов в производстве полупроводниковых интегральных приборов и микросхем с глубинным травлением германия и кремния, гальваническим осаждением металлов.
No |
Характеристики |
Норма |
1 |
Внешний вид фоторезиста |
Жидкость красно-корич цвета без осадка |
2 |
Внешний вид пленки фоторезиста |
Гладкая без разрывов |
5 |
Разрешаюшая способность, мкм, не более |
20,0 |
6 |
Толщина пленки фоторезиста, мкм |
6 - 8 |
8 |
Устойчивость пленки фоторезиста к травителю для кремния (HF+HNO3+CH3COOH - 1:10:1), не менее, минут |
14,0 |
9 |
Проявитель |
0,5% водный раствор КОН |
Фоторезист ФП-РН-7С (ТУ 6-36-00206842-27-93)
Предназначен для реализации фотолитографических процессов в производстве полупроводниковых приборов, шкал, сеток.
No |
Характеристики |
Норма |
1 |
Внешний вид фоторезиста |
Жидкость красно-корич цвета без осадка |
2 |
Внешний вид пленки фоторезиста |
Гладкая без разрывов |
3 |
Относительная скорость фильтрации, отн. ед., не более |
1,5 |
4 |
Кинематическая вязкость при (20+0,5) °C мм2/сек |
2,0 - 2,5 |
5 |
Разрешаюшая способность, мкм, не более |
2,5 |
6 |
Толщина пленки фоторезиста, мкм |
0,7 - 1,1 |
7 |
Число оборотов при нанесении, об/мин |
2500,0 |
8 |
Контраст проявления пленки, отн. ед., не менее |
90,0 |
Фоторезист ФП-4-04 марка В (ТУ 6-14-1092-88)
Предназначен для реализации фотолитографических процессов в производстве полупроводниковых приборов, больших и сверхбольших интегральных схем с использованием контактного и проекционного экспонирования в области длин волн 300-405 нм. Выпускается трех марок А, В и С
No |
Характеристики |
Норма |
марка A |
марка B |
марка C |
1 |
Внешний вид фоторезиста |
Жидкость красно-корич цвета без осадка |
2 |
Внешний вид пленки фоторезиста |
Гладкая без разрывов |
3 |
Относительная скорость фильтрации, отн. ед., не более |
2,0 |
2,0 |
2,0 |
4 |
Кинематическая вязкость при (20+0,5) °C мм2/сек |
4,5 |
15,0 |
21,5 |
5 |
Разрешаюшая способность, мкм, не более |
2,0 |
2,0 |
2,0 |
6 |
Толщина пленки фоторезиста, мкм |
0,5 |
1,5 |
2,0 |
7 |
Число оборотов при нанесении, об/мин |
3000,0 |
3000,0 |
3000,0 |
8 |
Устойчивость пленки фоторезиста к проявителю, мин., не менее |
10,0 |
12,0 |
15,0 |
9 |
Локальная разнотолщинность пленки, нм, не более |
20 |
30 |
40 |
10 |
Светочувствительность, мдж/см2, не более |
60 |
120 |
150 |
Фоторезист ФП-27-18БС марка А (ТУ 6-14-424-88)
Предназначен для реализации фотолитографических процессов в производстве печатных плат, микросхем, сеток, шкал, масок с применением гальванической обработки.
No |
Характеристики |
Норма |
1 |
Внешний вид фоторезиста |
Жидкость красно-корич цвета без осадка |
2 |
Внешний вид пленки фоторезиста |
Гладкая без разрывов |
3 |
Относительная скорость фильтрации, отн. ед., не более |
17,0 - 20,0 |
5 |
Разрешаюшая способность, мкм, не более |
100,0 |
6 |
Толщина пленки фоторезиста, мкм |
2,6 - 3,4 |
9 |
Проявитель |
0,6% раствор КОН в воде |
10 |
Светочувствительность, мдж/см2, не хуже |
150,0 |
Фоторезисты ФП-051К и ФП-051Т
Фоторезист ФП-051К (ТУ 6-14-920-86) предназначен для реализации фотолитографических процессов в производстве БИС на подложках с рельефом.
Фоторезист ФП-051Т (ТУ 6-14-919-86) предназначен для реализации фотолитографических процессов в производстве больших интегральных схем
No |
Характеристики |
Норма |
ФП-051К |
ФП-051Т |
1 |
Внешний вид фоторезиста |
Жидкость красно-корич цвета без осадка |
2 |
Внешний вид пленки фоторезиста |
Гладкая без разрывов |
4 |
Кинематическая вязкость при (20+0,5) °C мм2/сек |
55,0 |
15,5 - 19,5 |
5 |
Разрешаюшая способность, мкм, не более |
2,0 |
2,0 |
6 |
Толщина пленки фоторезиста, мкм |
1,9 - 2,3 |
1,3 |
8 |
Устойчивость пленки фоторезиста к проявителю, мин., не менее |
30,0 |
15,0 |
9 |
Проявитель |
0,6% раствор КОН в воде |
Фоторезисты ФН-11Су и ФН-11СКу (ТУ Р-11433386-4-О-92)
Предназначены для реализации фотолитографичексих процессов в производстве интегральных микросхем, масок, гибких выводных рамок на основе фольгированных диэлектриков, печатных микроплат, форм, и других изделий с использованием кислых и щелочных травителей металлов и сплавов (медь, алюминий, нихром и др.), для гальванического осаждения металлов.
No |
Характеристики |
Норма |
ФН-11Су |
ФН-11СКу |
1 |
Внешний вид фоторезиста |
Прозрачная жидкость коричневого цвета |
2 |
Внешний вид пленки фоторезиста |
Гладкая без разрывов |
4 |
Кинематическая вязкость при (20+0,5) °C мм2/сек |
13+3 |
150+10 |
5 |
Разрешаюшая способность, мкм, не более |
8,0 |
8,0 |
9 |
Проявитель |
Уайт-спирит |
|